從上圖中，可以可以看出，各類(lèi)過(guò)電壓保護(hù)器件中陶瓷氣體放電管GDT為通流量最大的器件，東沃電子（DOWOSEMI）單體器件能做到100kA（8/20μs）。GDT的導(dǎo)通為氣體電離形成導(dǎo)電通道，需要較大的能量去激發(fā)它，有一個(gè)能量累積的過(guò)程，因此GDT的響應(yīng)時(shí)間是所有過(guò)電壓保護(hù)器件中最慢的一個(gè)。GDT的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)電容低，絕緣阻抗大，可用于高速通信線(xiàn)路防雷保護(hù)，如同軸電纜，電話(huà)線(xiàn)接口，高清視頻接口、以太網(wǎng)口等。
 
壓敏電阻的通流量?jī)H次于GDT，響應(yīng)速度為納秒級(jí)，廣泛應(yīng)用于交流電源線(xiàn)，低頻信號(hào)線(xiàn)的防雷保護(hù)。東沃壓敏電阻單體通流量可以做到70kA（8/20μs ），壓敏電壓可做到 1800V。壓敏電阻是由氧化鋅和其他金屬氧化物采用材料混合及高溫?zé)Y(jié)的工藝制成的多晶半導(dǎo)體材料，其晶格結(jié)構(gòu)決定了它在應(yīng)用過(guò)程中長(zhǎng)期開(kāi)關(guān)容易老化。而GDT 和玻璃放電管SPG具有較大的絕緣阻抗，在AC 輸入端，常常和 MOV 串聯(lián)到共模地來(lái)應(yīng)用，以減緩 MOV 的老化。
 
超大功率TVS二極管hyperfix，比如藍(lán)寶寶浪涌抑制器，它采用大面積芯片疊加制成，比普通的TVS二極管功率大幾十甚至幾百倍，可直接替代MOV應(yīng)用于交流輸入端口的第一級(jí)防雷保護(hù)。它具有通流量大、響應(yīng)速度快、無(wú)老化、鉗位電壓低等優(yōu)點(diǎn)，適用于對(duì)防護(hù)器件要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合，如通信電源、飛機(jī)、火車(chē)等領(lǐng)域。
 
半導(dǎo)體放電管TSS是一種具有負(fù)阻特性的浪涌保護(hù)器件，由于其特殊的PN-PN結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在相同的芯片面積上，TSS可以做到比同尺寸及電壓的TVS通流量大幾倍，而電容比同規(guī)格的TVS小幾倍，可以用于一些通信線(xiàn)路的浪涌保護(hù)，如 RS485、RS232、 CAN 總線(xiàn)等。TSS 具有較高的性?xún)r(jià)比，是低速通信線(xiàn)路浪涌防護(hù)的理想選擇。

TVS瞬態(tài)抑制二極管是單PN結(jié)或多個(gè)PN結(jié)集成在一起的器件，具有反應(yīng)速度快、鉗位電壓低、電壓精度高等優(yōu)點(diǎn)。TVS一般采用貼片或插件封裝，體積較小，常應(yīng)用于直流電源線(xiàn)或低速通信線(xiàn)路的浪涌防護(hù)。

ESD靜電保護(hù)二極管是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的防靜電保護(hù)元器件，由多個(gè)二極管或TVS組合而成的具有特定線(xiàn)路布局的TVS陣列，其導(dǎo)通時(shí)間較TVS慢一些。靜電放電一般為納秒級(jí)的脈沖，破壞力相對(duì)較小，所以ESD器件的芯片晶粒面積也較小，可以做到小型微型化封裝。通過(guò)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，ESD 器件結(jié)電容最小可以做到零點(diǎn)幾個(gè)皮法，適用于高速數(shù)據(jù)線(xiàn)路的ESD防護(hù)，如 HDMI、USB3.0、IEEE1394 等。

作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的電路保護(hù)元件廠商，東沃電子（DOWOSEMI）能為客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比的過(guò)電壓保護(hù)元器件及解決方案。東沃技術(shù)根據(jù)每種過(guò)電壓保護(hù)器件的性能特點(diǎn)，取長(zhǎng)補(bǔ)短搭配選用，始終為客戶(hù)提供最優(yōu)的電路保護(hù)解決方案。竭誠(chéng)歡迎廣大客戶(hù)前來(lái)了解和咨詢(xún)：136 7581 6901（微信同號(hào)）朱經(jīng)理